Cette travail propose une nouvelle méthodologie pour l'étude de la fiabilité des TBHs en technologie SiGe. L'originalité de cette étude vient de l'utilisation d'une contrainte électromagnétique efficace et ciblée à l'aide du banc champ proche. Les caractérisations statiques ont montré la présence des courants de fuite à l'interface Si/SiO2.Ceci est attribué à un phénomène de piégeage induit par des porteurs chauds. Ce phénomène a été abordé par la modélisation physique en étudiant l'influence des pièges d'interfaces sur la dérive des performances. Afin de visualiser les défaillances qui peuvent être détectées par microscopie, des observations en haute résolution MET et des analyses EDS ont été présentées. Ces analyses microscopiques ont mis en évidence les dégradations des couches de titane. Ces dégradations sont attribuées à un phénomène de migration de l'or (Au) vers le titane (Ti) due à la forte densité de courant induite par vieillissement. Ces réactions Au-Ti provoquent une augmentation de la résistivité des couches conductrices et expliquent une partie de la dégradation significative des performances dynamiques du TBH.
Il n'y a pas encore de discussion sur ce livre
Soyez le premier à en lancer une !
Des romans policiers à offrir ? Faites le plein de bonnes idées !
Nostalgique, nomade ou plutôt romantique ? Trouvez le livre de la rentrée qui vous correspond !
Nouveaux talents, nouveaux horizons littéraires !
Des romans, livres de recettes et BD pour se régaler en famille !
