La magnétorésistance géante et le couplage d'échange dans des empilements de couches magnétiques / non-magnétiques, connaissent un intérêt particulier grâce aux nombreuses applications potentielles dans le domaine de la microélectronique (capteurs magnétorésistifs, mémoires non-volatiles, etc). La conduction des électrons dans les couches non-magnétiques est dépendante du spin, c'est à dire de l'orientation relative des aimantations des électrodes magnétiques. Le plus simple système présentant de la magnétorésistance est le système « spin-valve ». Il s'agit de deux couches magnétiques (dure et douce), séparées par une couche non-magnétique de découplage. Dans notre cas la couche magnétique dure est constituée d'un système antiferromagnétique artificiel à base d'iridium qui présente l'avantage d'obtenir une rigidité magnétique importante et ajustable. L'originalité de ce travail provient essentiellement du choix des matériaux utilisés et présente la possibilité d'intégration de ce système dans un capteur magnétorésistif de type spin valve. Pour ce faire, ce travail analyse les propriétés magnétiques et de transport de ces systèmes, en corrélation avec leurs propriétés structurales.
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