Les technologies bipolaires jouent des rôles primordiaux dans les systèmes spatiaux soumis à des conditions radiatives. Dans un environnement ionisant, le courant de base des transistors bipolaires augmente et le gain en courant diminue. Pour une même dose totale, de nombreuses technologies bipolaires se dégradent plus à faible débit de dose qu''à fort débit ce qui pose un problème au niveau du durcissement. Des méthodes de prédiction de la réponse faible débit de dose, telles que les irradiations en températures, ont données des résultats prometteurs pour l''identification de technologies montrant une augmentation de la dégradation à faible débit de dose. Cependant, aucun test s''appliquant à toutes les technologies bipolaires n''a été identifié. En se basant sur un travail expérimental, une explication physique des phénomènes se produisant au cours d''irradiations à températures élevées a été donnée et un modèle de dégradation a été développé. A partir de l''observation des résultats obtenus, une nouvelle approche du test de composants est proposée. Cette approche est basée sur la commutation d''un fort débit de dose vers un faible débit.
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