Ce travail consiste à l'asservissement et la mise en marche d'un réacteur d'épitaxie par jets chimiques au Laboratoire d'Épitaxie Avancée de l'Université de Sherbrooke. Le réacteur sert à la croissance dans l'ultravide de matériaux semi-conducteurs tels que l'arséniure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium-gallium (GaInP). La programmation LabVIEW et du matériel informatique de National Instruments sont utilisés pour asservir entre autres l'injection des gaz et la température d'opération. Des améliorations apportées au réacteur sont décrites, notamment les systèmes d'injection et de pompage. Des croissances de GaAs(100) sur substrat de même nature révèlent un matériau de bonne qualité. La rugosité et le comportement en dopage p et n sont rapportés. De même, les propriétés de GaInP sur GaAs, premier matériau ternaire crû au laboratoire, sont rapportées. Finalement, la mise en marche du réacteur d'épitaxie par jets chimiques permet maintenant à cinq étudiants gradués de faire progresser des projets reliés directement à la croissance épitaxiale au Laboratoire d'Épitaxie Avancée de l'Université de Sherbrooke.
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