Les progrès réalisés dans l'électronique conduit à une relance du débat sur la fiabilité et la durée de vie des composants ou des systèmes. La température limite la durée de vie et joue un rôle essentiel dans les mécanismes de dégradation, néanmoins reste la principale cause dans la majorité des cas. Dans ce contexte, ce livre présente une synthèse des effets de porteurs chauds sur les performances de dispositif RF LDMOS de puissance, après tests de vieillissement sous diverses conditions. Une caractérisation précieuse (IC-CAP) a été effectuée et un nouveau modèle électrothermique (ADS) a été implanté prenant en compte l'évolution de la température, lequel est utilisé comme outil de fiabilité (extraction des paramètres). Par la suite, un examen complet des dérives des paramètres électriques critiques est exposé et analysé. Pour parvenir à une meilleure compréhension des phénomènes physiques de dégradation, mis en jeu dans la structure, nous avons fait appel à une simulation physique 2-D (Silvaco-Atlas). Finalement, l'étude montre que le mécanisme de dégradation est le phénomène d'injection des porteurs chauds dans les pièges d'oxyde déjà existants et/ou dans l'interface Si/ SiO2.
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